CY15B116QI, CY15V116QI是16 Mb EXCELON ™ LP 铁电随机存取存储器(F-RAM) ，串⾏ (SPI) 2048K × 8, 20 MHz, 电涌控制 , 商业级FRAM。

功能说明

EXCELON ™ LP CY15X116QI 是采用了高级铁电工艺的低功耗 16 Mb ⾮易失性存储器。铁电随机存取存储器( 即 F-RAM) 是一种⾮易失性存储器，它跟 RAM 一样，能够执⾏读和写操作。该存储器提供 151 年的可靠数据保留时间，并解决了由串⾏闪存、EEPROM 和其它⾮易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

与串⾏闪存和 EEPROM 不同的是，CY15X116QI 以总线速度执⾏写操作，并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写⼊到存储器阵列内。这时，可以开始执⾏下一个总线周期⽽不需要轮询数据。此外，与其它⾮易失性存储器相比，该产品提供了更多的写⼊次数。CY15X116QI 能够提供1015 次的读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 10 亿倍次的写周期。

由于具有这些特性，因此 CY15X116QI ⾮常适用于需要频繁或快速写操作的⾮易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集 ( 其中写周期数量是⾮常重要的 ) 到满足工业控制 ( 其中串⾏闪存或 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失 )。

作为直接替代硬件时，CY15X116QI 为串⾏ EEPROM 或闪存的用⼾提供极大好处。CY15X116QI 使用高速的 SPI 总线，从⽽可以改进 F-RAM 技术的高速写⼊能力。该器件包含一个只读的器件 ID 和唯一 ID 特性，通过它们，主机可以确定每个器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一 ID。该器件还提供可写的 8 字节序列号的寄存器，这些寄存器可用于识别特定电路板或系统。

性能

• 16 Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 2048K × 8

- 提供了一千万亿次 (1015) 的读 / 写周期，几乎为无限次数的耐久性

- 151 年数据保留时间 ( ⻅第 27 ⻚上的 " 数据保留时间与耐久性 ")

- 英⻜凌即时⾮易失性写⼊技术

- 高可靠性的高级铁电工艺

• 快速串⾏外设接口 (SPI)

- 频率可高达 20 MHz

- 支持 SPI 模式 0 (0,0) 和模式 3 (1,1)

• 精密的写⼊保护方案

- 使用写保护 (WP) 引脚提供硬件保护

- 使用写禁用 (WRDI) 指令提供软件保护

- 可对 1/4、1/2 或整个阵列进⾏软件模块保护

• 器件 ID 和序列号

- 制造商 ID 和产品 ID

- 器件的唯一 ID

- 序列号

• 专用 256 字节特殊扇区 F-RAM

- 专用特殊扇区写和读操作

- 存储的内容可以在多达 3 个标准回流焊周期内保持不变

• 低功耗

- 频率为 20 MHz 时，有效电流为 1.50 mA ( 典型值 )

- 待机电流为 14 μA ( 典型值 )

- 深度掉电模式电流为 1.10 μA ( 典型值 )

- 休眠模式电流为 0.1 μA ( 典型值 )

- 上电时，电涌为 1.90 mA ( 典型值 )

• 低电压操作

- CY15V116QI：VDD = 1.71 V 到 1.89 V

- CY15B116QI：VDD = 1.8 V 到 3.6 V

• 商业级工作温度范围：0 °C ~ +70 °C

• 24 ball 小间距 BGA (24-FBGA)

• 符合有害物质限制标准 (RoHS)

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